表面光电压技术在Si外延过程中的应用

• 作者: 张鹤鸣 赵丽霞 陈秉克
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面光电压 少数载流子 扩散长度 寿命 外延 衬底
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 366-370
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12|TN304.054|TN304.07
• 字数: 3820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.06.009

摘要

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件.提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一P型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况.分别给出了衬底片、石墨基座、HCI、SiHCI3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院	102	510	12.0	16.0
2	赵丽霞		14	36	4.0	5.0
6	陈秉克		2	6	2.0	2.0