基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极

• 作者: 朱丹 李德杰 王健
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 平面显示 栅控 电子发射 InOx纳米岛 C
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 44-46,59
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 字数: 1755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2009.03.010

摘要

介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论.引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层.InOx,纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域.本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德杰	清华大学电子工程系	34	152	8.0	10.0
2	朱丹	清华大学电子工程系	6	9	2.0	2.0
3	王健	清华大学电子工程系	57	1058	14.0	32.0