驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计

• 作者: 刘桂英 周琴 成叶琴
• 来源期刊: 上海电机学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自举电路 驱动芯片 高压浮动MOSFET
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 190-193
• 页数: 4页
• 分类号: TN86|TN712
• 字数: 2201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0020.2009.03.005

摘要

介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式.通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周琴	上海电机学院电气学院	30	213	7.0	14.0
2	成叶琴	上海电机学院电气学院	4	54	3.0	4.0
3	刘桂英	上海电机学院电气学院	12	62	4.0	7.0