等离子活化烧结制备SiC/h-BN复相陶瓷

• 作者: 张琴 李红伟 王继平 金志浩
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子活化烧结 热压烧结 碳化硅 氮化硼 弱界面
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 1808-1812
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75+8.22
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.11.002

摘要

采用等离子活化烧结(plasma activated sintering,PAS)制备SiC/20%(体积分数)h-BN复相陶瓷,研究了烧结工艺对复相陶瓷密度、抗弯强度、硬度,以及显微结构的影响,并对比分析了PAS与热压 (hot-pressing,HP)烧结工艺不同烧结机理.结果表明:在1 600℃保温3min PAS烧结与在1 850℃保温1hHP烧结制备出的SiC/20%h-BN复相陶瓷具有相近的性能和微观结构,PAS烧结效率远高于HP.当引入20%微米级h-BN在烧结过程中抑制SiC晶粒长大,PAS快速烧结细化晶粒的效应在烧结SiC/20%h-BN复相陶瓷时被抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金志浩	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	325	5024	34.0	51.0
2	张琴	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	17	90	5.0	9.0
3	王继平	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	22	278	8.0	16.0
4	李红伟	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	8	2.0	2.0