低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究

• 作者: 张巨先
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN陶瓷 BN-AlN基复相陶瓷 低介电损耗 化学工艺
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳应用专辑
• 页码范围: 50-53,68
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2009.04.014

摘要

介电损耗最小值为9.3×10-4的AlN陶瓷材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张巨先		28	335	9.0	17.0