热压烧结AlN-BN复合陶瓷的制备及介电性能

• 作者: 丘泰 徐洁 施书哲 李晓云
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 介电性能 AlN-BN 复合陶瓷
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.06.003

摘要

用热压工艺制备一系列BN含量(质量分数)为0～30%的AlN-BN复合陶瓷材料,研究了三氧化二钇和碳酸钙添加剂对致密性及介电性能的影响.结果表明:三氧化二钇和碳酸钙均有促进瓷体致密化的作用,但碳酸钙含量增加会造成组分不均匀,介质损耗增加.BN的质量分数为20%、三氧化二钇质量分数为5%的条件下,获得相对介电常数为8.5、介质损耗为0.000 683(1 MHz下)的AlN-BN复合陶瓷材料.测定了复合陶瓷介电常数及介质损耗随频率 (0.01～1 MHz)变化的特性,探讨了复合陶瓷介电常数与介质损耗与制备工艺的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料学院	69	515	12.0	19.0
3	徐洁	南京工业大学材料学院	17	293	10.0	17.0
4	施书哲	南京工业大学材料学院	12	93	6.0	9.0