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摘要:
主要阐述BESⅢ Muon电子学VME控制扇出插件的优化设计,主要内容包括对VME控制扇出插件控制芯片FPGA的固件进行优化,并且设计了相关实验来对优化方案进行测试.
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文献信息
篇名 BESⅢ Muon电子学VME控制扇出插件的优化设计
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 工学
关键词 BESⅢ Muon电子学 VME 控制扇出 FPGA 固件 优化
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1331-1333,1352
页数 4页 分类号 TL82
字数 2140字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-0934.2009.06.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 虞孝麒 中国科学技术大学近代物理系 58 192 8.0 10.0
2 张雄 中国科学技术大学近代物理系 4 13 2.0 3.0
3 梁昊 中国科学技术大学近代物理系 40 91 5.0 7.0
4 周永钊 中国科学技术大学近代物理系 25 42 3.0 4.0
传播情况
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引文网络
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2013(1)
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研究主题发展历程
节点文献
BESⅢ
Muon电子学
VME
控制扇出
FPGA
固件
优化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
总下载数(次)
9
总被引数(次)
21728
论文1v1指导