碳热还原制备碳化硅纳米线

• 作者: 刘大春 戴永年 杨斌 罗晓刚 马文会
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 碳热还原 碳化硅 纳米线
• 年，卷（期）: 2009,（z2）
• 页码范围: 82-84
• 页数: 3页
• 分类号: O613.7|TB383
• 字数: 318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2009.z2.027

摘要

以二氧化硅粉和竹炭粉为原料,在无催化剂的条件下,于1 400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了该纳米线的形貌和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理.结果表明,所制备的纳米线为β-SiC,纳米线直径为100～150 nm,长度可达数毫米.