SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷的性能研究

• 作者: 姜敏 方宁象 曾凡 陈建军
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅复合陶瓷 SiC纳米线 反应烧结
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 586-590
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 3559字
• 语种: 中文

摘要

以单晶SiC纳米线作为增强体,碳化硅-碳为陶瓷基体,在1550℃下,采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf/SiC).结合X射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析,研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响.研究表明:与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比,添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高,抗弯强度提高了52％,达到320 MPa(SiC纳米线含量为12wt％),断裂韧性提高了40.6％,达到4.5 MPa· m1/2(SiC纳米线含量为15wt％);反应后的SiC纳米线仍然可以保持原有的竹节状结构,且随着SiC纳米线的加入,复合陶瓷的断口可以观察到SiC纳米线拔出现象.但由于SiC纳米线“架桥”的现象,添加过量的纳米线会降低复合陶瓷的密度和限制复合陶瓷力学性能的提高.同时还讨论了SiCnf/SiC的增强机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾凡	浙江理工大学机械与自动控制学院	4	6	1.0	2.0
2	方宁象		3	5	1.0	2.0