3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究

• 作者: 卢刚 张常军 陈治明
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅纳米粉 烧结 多孔碳化硅 纳米结构
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 379-381
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.05|TN304.07
• 字数: 1926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2004.04.010

摘要

研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数,采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构.研究结果表明,在100 kPa压力的氩气气氛中和1600℃4 h 30 min～4 h 50 min的烧结条件下,烧结样品的主要结构是3C-SiC,其他晶型基本消失;烧结样品具有大量的纳米孔,其平均孔径约为80～90 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	卢刚	西安理工大学自动化与信息工程学院	16	38	3.0	5.0
3	张常军	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	4	1.0	1.0