碳热还原/氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析

• 作者: Oleg Ostrovski 万小涵 张广清
• 来源期刊: 云南冶金
• 学科: 工学
• 关键词: 边界温度 生成趋势 控制步骤
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 金属材料与加工
• 页码范围: 47-49,73
• 页数: 4页
• 分类号: TG148
• 字数: 2140字
• 语种: 中文

摘要

碳热还原/氮化合成氮化硅在SiO2∶C=1∶4.5(摩尔比)、1 425 ～1 475℃、氮气中添加10 vol％氢气气氛、气体流量1 L/min条件下进行.生成物各相通过XRD定性分析.实验结果及热力学分析表明二氧化硅-碳-氮气反应体系中,氮化硅和碳化硅在常用温度区间内的生成趋势差别小;碳化硅成核在较高温度趋势较强,但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微;氮化硅晶体生长反应为控制步骤.在碳热还原/氮化工艺中控制Si3N4和SiC生成的边界温度并不明显,碳化硅的生成不可避免.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万小涵	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	2	4	2.0	2.0
2	张广清	澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院	2	4	2.0	2.0
3	Oleg Ostrovski	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	2	4	2.0	2.0