24～38 GHz GaAs单片低噪声放大器的研制

• 作者: 张秀霞 王民娟
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 低噪声放大器 "T"形栅 电路仿真 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: "元器件"专题
• 页码范围: 148-151
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.008

摘要

介绍了24～38 GHz低噪声放大器MMIC的研制.分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 inGaAs工艺线进行工艺制作.采用电子束制作0.20 μm"T"形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的,I<,dss>和V<,p>,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8 dB,小信号增益大于13 dB,增益平坦度小于±0.6 dB,输入和输出驻波比小于2:1,微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王民娟		2	20	2.0	2.0
2	张秀霞		6	10	2.0	3.0