基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文研究了BiNbO4掺杂对钛酸钡陶瓷居里点移动及微观性能的影响.实验结果表明,随着BiNbO4掺杂量的增加,钛酸钡陶瓷的四方率单调下降,而居里点先降低后升高,居里点的变化与陶瓷的微观应力变化一致.BiNbO4掺杂在0%~2%范围内时,能有效抑制BaTiO3陶瓷晶粒的生长,有助于陶瓷烧结的致密化,但过分掺杂会使陶瓷晶粒间气孔率增加,并产生第二相.
推荐文章
稀土掺杂对BaTiO3陶瓷结构和性能的影响
钛酸钡(BaTiO3)
稀土元素
电阻率
介电性能
CaO掺杂对BaTiO3陶瓷结构及介电性能的影响
(Ba,Ca)TiO3陶瓷
介电性能
压电性能
Dy2O3掺杂对BaTiO3陶瓷结构与性能的影响
掺杂Dy2O3
结构
性能
细晶
BaTiO3陶瓷
K0.5Na0.5NbO3掺杂对BaTiO3陶瓷介电性能的影响
钛酸钡( BaTiO3)
铌酸钾钠((K 0.5Na0.5) NbO3)
X7R
多层陶瓷电容器(MLCC)
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 BiNbO4掺杂对BaTiO3陶瓷居里点的影响及微观性能研究
来源期刊 材料开发与应用 学科 工学
关键词 钛酸钡 四方率 微观应力 居里温度 铌酸铋
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 31-34
页数 4页 分类号 TM534
字数 1444字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张树人 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 187 1176 16.0 24.0
2 唐斌 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 210 2076 24.0 33.0
3 周晓华 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 70 468 11.0 17.0
4 佘广益 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (9)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1961(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1981(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1984(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1991(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1992(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
钛酸钡
四方率
微观应力
居里温度
铌酸铋
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料开发与应用
双月刊
1003-1545
41-1149/TB
大16开
河南省洛阳市023信箱5分箱
1979
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
11
总被引数(次)
17695
论文1v1指导