A位非化学计量对BiNbO4陶瓷性能的影响

• 作者: 李蔚 殷之文 王宁 赵梅瑜
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 非化学计量 铌酸铋
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷
• 页码范围: 11-14,18
• 页数: 5页
• 分类号: TM28
• 字数: 4211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.04.005

摘要

为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长，使其烧结温度降低，烧结样品的晶相组成仍为正交BiNbO4相，微波介电性能有所改善；A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响，Bi过量达0.030时，烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生，样品的微波介电性能急剧恶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所	69	1195	20.0	33.0
2	李蔚	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	549	12.0	23.0
3	王宁	中国科学院上海硅酸盐研究所	130	1601	19.0	36.0
5	赵梅瑜	中国科学院上海硅酸盐研究所	18	300	9.0	17.0