电离层特征参量的自相关原理插值方法

• 作者: 冯静 凡俊梅 柳文 焦培南
• 来源期刊: 空间科学学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 电离层 自相关 插值
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 195-201
• 页数: 7页
• 分类号: P353
• 字数: 5255字
• 语种: 中文

摘要

通过选用合适的电离层平稳性参数,建立相府的正定自相关系数模型,利用自相关分析原理,提出了一种针对电离层特征参量历史缺失数据插值处理的新方法.该方法能够提高Muhtarov和Kutiev在1999年提出的自相关系数法的插值精度,通常情况下可以把误差降低1到2个百分点以上,有时甚至能降低接近9个百分点,在很大程度上改善了对电离层历史缺失数据的插值处理效果.此外,奉文还对插值误差随季节、太阳活动性和地理纬度等的变化规律进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦培南	中国电波传播研究所电波环境特性及模化技术国家重点实验室	49	527	14.0	20.0
2	柳文	中国电波传播研究所电波环境特性及模化技术国家重点实验室	32	184	6.0	11.0
3	凡俊梅	中国电波传播研究所电波环境特性及模化技术国家重点实验室	27	240	7.0	14.0
4	冯静	中国电波传播研究所电波环境特性及模化技术国家重点实验室	18	75	6.0	7.0