脉冲电沉积制备电控离子分离NiHCF膜电极

• 作者: 刘世斌 孙彦平 李永国 郝晓刚 马旭莉
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲电沉积 NiHCF膜 电化学控制离子分离 循环伏安
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 1294-1299
• 页数: 6页
• 分类号: TQ035
• 字数: 3529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2009.07.021

摘要

采用脉冲电沉积法在石墨基体上制备了铁氰化镍膜(NiHCF膜).通过循环伏安法考察了不同脉冲参数(脉冲电压、脉冲周期、占空比、沉积次数)条件下制备的石墨基NiHCF膜电极的离子交换容量,并通过SEM和XPS分析了膜的表面形貌与组成.结果表明:脉冲电压0.3 V(vs SCE)、脉冲周期0.6 s、占空比为50%时沉积得到的NiHCF膜均匀致密,且具有较大的离子交换容量和良好的稳定性.脉冲电沉积法可用于制备性能优良的电化学控制离子分离膜电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘世斌	太原理工大学化学工程系	123	602	13.0	18.0
2	孙彦平	太原理工大学化学工程系	136	1387	19.0	29.0
3	郝晓刚	太原理工大学化学工程系	138	831	15.0	22.0
4	马旭莉	太原理工大学化学工程系	22	87	7.0	9.0
5	李永国	太原理工大学化学工程系	6	30	3.0	5.0