多孔氧化铝模板中交流沉积钴纳米线阵列

• 作者: 刘军 曹宏 李承勇 王学华 陈归
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔氧化铝模板 交流电沉积 Co纳米线阵列
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.1
• 字数: 1730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2009.09.011

摘要

利用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝模板(PAM).用交流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了Co纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对Co纳米线的形貌、晶体结构进行了研究.结果表明,模板的孔径均匀,孔道平直.Co纳米线均匀分布在PAM纳米孔隙中,直径与PAM孔径一致,约50 nm,并沿Co(111)晶面择优生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹宏	武汉工程大学材料科学与工程学院	74	348	11.0	14.0
2	王学华	武汉工程大学材料科学与工程学院	36	199	8.0	13.0
3	陈归	武汉工程大学材料科学与工程学院	3	26	3.0	3.0
4	李承勇	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	57	4.0	5.0
5	刘军	武汉工程大学材料科学与工程学院	27	109	5.0	9.0