硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较

• 作者: 李清山 王彩凤 胡波
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 白光发射 光致发光 I-V特性曲线 硫化锌 氧化锌 多孔硅
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN383+.2|O484.4+.1|O484.4+.2
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.007

摘要

用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon, PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较.结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能.从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩凤	滨州学院物理与电子科学系	21	147	5.0	12.0
2	李清山	鲁东大学物理系	40	97	5.0	7.0
3	胡波	滨州学院飞行学院	34	332	8.0	18.0