多孔硅的孔隙对硫化锌/多孔硅光电性质的影响

• 作者: 李清山 梁德春 王彩凤 胡波
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 白光 光致发光 I-V特性曲线 孔隙 硫化锌/多孔硅
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 766-769
• 分类号: O734
• 字数: 2986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2010.06.013

摘要

为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长.随着衬底PS孔隙的增多,ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光.ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射.ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0.随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大.该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩凤	滨州学院物理与电子科学系	21	147	5.0	12.0
2	李清山	鲁东大学物理系	40	97	5.0	7.0
3	胡波	滨州学院飞行学院	34	332	8.0	18.0
4	梁德春	中国科学院半导体研究所	3	5	1.0	2.0