英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 碳化硅 第三代 性能改进 转换系统 功率半导体 高功率密度 额定电流
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 66
• 页数: 1页
• 分类号: TN311.7

摘要

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体全球领先供应商——英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQITM SiC肖特基二极管。全新thin0j二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。