向商业化迈进的极紫外(EUV)光刻技术

• 作者: 《电子工业专用设备》编辑部
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 极紫外光刻 激光等离子体光源 光刻设备 22nm技术节点 商业化生产
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 本期专题(光刻与刻蚀)
• 页码范围: 1-7,43
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 7322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.04.001

摘要

在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论.目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源(LPP)功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外(EUV)光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产.