多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用

• 作者: 刘世荣 吴克跃 张荣涛 王海旭 秦朝建 许丽 金峰 陈亮 黄伟其
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 受激辐射 多孔硅 量子点 陷阱态
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 1161-1164
• 页数: 4页
• 分类号: TN249
• 字数: 978字
• 语种: 中文

摘要

经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构.用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射.当激励强度超过阈值时,在650～750 nm区域有很强的受激发光峰.这些受激发光峰的半高宽小于0.5 nm.激光辐照和高温退火后,在样品上能形成某些特殊的氧化结构.在傅里叶红外光谱分析中,显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成.计算结果表明:当硅氧双键或硅氧桥键形成时,电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中.价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键.