多孔硅量子点中的电子局域态

• 作者: 于示强 张荣涛 王晓允 秦朝建 黄伟其
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅量子点 硅氧钝化键 电子局域态
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 4652-4658
• 页数: 7页
• 分类号: O37
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.043

摘要

经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650-780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间长短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用SiO 双键和Si-O-Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面SiO双键和Si-O-Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟其		40	77	5.0	6.0
2	张荣涛		9	17	3.0	4.0
3	王晓允		6	10	2.0	3.0
4	于示强		5	7	2.0	2.0
5	秦朝建	中国科学院地球化学研究所	30	225	8.0	14.0