利用总积分散射仪研究不同清洗技术下的基片表面粗糙度

• 作者: 侯海虹 张大伟 沈健 范正修
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 基片 表面粗糙度 清洗 散射仪
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1559-1562
• 页数: 4页
• 分类号: O485
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093606.1559

摘要

为了探讨不同清洗工艺对基片表面微观粗糙度的影响,利用总积分散射(TIS)仪分别对不同条件下超声清洗的K9玻璃基片,End-hall离子源清洗的K9玻璃基片和Kaufmann离子源清洗的熔石英基片的表面均方根(RMS)粗糙度进行了系统表征.结果表明,K9玻璃基片经不同条件下的超声波清洗后,由于清洗过程中表面受到损伤,其RMS粗糙度均有所增加;而对于End-hall离子源和Kaufmann离子源清洗的基片,其表面RMS粗糙度的变化受清洗过程中离子束流、清洗时间和离子束能量等实验参量的影响较为明显,选择合适的实验参量可以降低基片表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
2	张大伟	中国科学院上海光学精密机械研究所	38	189	7.0	12.0
3	沈健	中国科学院上海光学精密机械研究所	10	113	8.0	10.0
4	侯海虹	常熟理工学院物理系	12	63	6.0	7.0