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摘要:
采用SMIC 0.18 μm 1P6 M RF CMOS工艺设计了一个4.8 GHz LC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中.电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度.所设计的芯片版图面积为600 μm×475μm.在电源电压为1.8 V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95 GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3 dBc/Hz @ 3 MHz,优于系统要求5.3 dB;核心电路工作电流约5.2 mA.
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文献信息
篇名 无线传感网SoC芯片中4.8 GHz压控振荡器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 无线传感网 RF CMOS工艺 LC压控振荡器 相位噪声 宽调谐范围
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 纳米、固态电子器件
研究方向 页码范围 733-736,741
页数 5页 分类号 TN752|TN753.9
字数 3542字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.04.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑浩 东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心 10 55 4.0 7.0
2 樊祥宁 东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心 19 73 5.0 7.0
3 陈晓光 东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心 2 5 1.0 2.0
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无线传感网
RF CMOS工艺
LC压控振荡器
相位噪声
宽调谐范围
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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5460
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