英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 碳化硅 第三代 改进型 产品 半导体供应商 转换系统 负载条件
• 年，卷（期）: dzyqjyy_2009,（4）
• 页码范围: 88
• 页数: 1页
• 分类号: TN311.7

摘要

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容．可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。