A位取代对ZnO-0.5SiO2陶瓷烧结特性和介电性能的影响

• 作者: 张启龙 徐进 李福龙
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 介电性能 低介电常数 烧结
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 快讯
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2009.01.001

摘要

采用常规固相反应法,以ZnO-0.5SiO2体系为基体成分,研究了A位取代ZnO-0.5SiO2陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律.结果表明:Mg在一定范围内A位取代ZnO-0.5SiO2中的Zn可形成(Zn1-x,Mgx)2SiO4固溶体,x(Mg)最大固溶度不超过0.5.当取代量超过固溶度后,出现Mg2SiO4和Mg2SiO3相.x(Mg)≤0.5,陶瓷介电常数变化不大,品质因子较高;x(Mg)＞0.5时,陶瓷介电常数增大,品质因子急剧下降.研究还揭示了(Zn1-x,Mgx)2SiO4(x=0.1～0.3)陶瓷在1 275℃烧结具有良好的介电性能,其介电常数为6.19～6.23,品质因子为48 000～53 000 GHz,频率温度系数为-50×10-6～-60×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张启龙	浙江大学材料与化学工程学院	74	778	13.0	26.0
2	徐进	厦门大学材料学院	9	45	3.0	6.0
3	李福龙	厦门大学材料学院	2	5	2.0	2.0