添加Ta2O5对MnZn功率铁氧体性能的影响

• 作者: 余忠 兰中文 姬海宁 孙科 李乐中 罗明
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: MnZn功率铁氧体 Ta2O5添加剂 微观结构 磁性能
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 379-382
• 页数: 4页
• 分类号: TM277
• 字数: 2947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00379

摘要

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.结果表明:少量Ta2O5的加入可以使铁氧体烧结样品的晶粒尺寸增大,气孔率下降,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率升高,损耗降低.而加入过多的Ta2O5会导致异常晶粒长大,气孔率升高,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率降低,损耗增大.当Ta2O5含量为0.04wt%时,铁氧体烧结样品的晶粒尺寸大小均匀,气孔率最低,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率达到最大值,损耗最低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	兰中文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	111	1184	19.0	29.0
2	余忠	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	842	16.0	26.0
3	姬海宁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	20	249	9.0	15.0
4	李乐中	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	150	8.0	12.0
5	孙科	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	53	316	9.0	15.0
6	罗明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	26	4.0	4.0