氧氩流量比对高介电薄膜Ta2O5电学性能的影响

• 作者: 王中林 郑丹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ta2O5薄膜 体积流量比 漏电流 介电常数
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 18-20
• 分类号: TM536
• 字数: 2309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.05.005

摘要

利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ(O2:Ar)对薄膜电学性能的影响.结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5.随着Ψ(O2:Ar)的增大,薄膜的沉积速率逐渐减小,积累电容逐渐增大,等效氧化层厚度逐渐减小,平带电容增大,氧化层中可动离子电荷密度逐渐减小.当Ψ(O2:Ar)=6:5时,所沉积Ta2O5薄膜的相对介电常数εr最大,为38.32;当Ψ(O2:Ar)=2:5时,漏电流密度最小,仅为7.7×10-7 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑丹		26	32	3.0	4.0
3	王中林		18	82	4.0	8.0