衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响

• 作者: 严辉 朱满康 王波 许仕龙 黄安平
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ta2O5 介电薄膜 晶化温度 衬底负偏压
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 701-704
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.044

摘要

采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	80	638	11.0	23.0
3	朱满康	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	73	372	11.0	15.0
4	许仕龙	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	3	5	2.0	2.0
5	黄安平	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0