RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究

• 作者: 丁文 周勇 曹莹 毛海平
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数薄膜 Ta2O5 电学性能 漏电流
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TM216.3
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.05.013

摘要

高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中.本文主要采用反应溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了在25～100nm厚度范围内薄膜的电学性能.讨论了不同退火时间对Ta2O5薄膜结构和性能的影响,测量了退火后薄膜的漏电流,并计算出其介电常数.