Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究

• 作者: 刘云峰 张浩康 陈国平
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 化学
• 关键词: Ta2O5 薄膜 MOS湿敏元件
• 年，卷（期）: 1998,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 83-85
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.05.021

摘要

使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件,提出了元件的结构模型,并对其感湿机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张浩康	东南大学电子工程系	11	24	4.0	4.0
2	陈国平	东南大学电子工程系	4	141	3.0	4.0
3	刘云峰	东南大学电子工程系	2	22	2.0	2.0