退火温度对高介电常数Ta2O5薄膜电学性能的影响

• 作者: 杨晟 郑丹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ta2O5薄膜 退火温度 漏电流 介电常数
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-26
• 分类号: TM536
• 字数: 2367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.12.007

摘要

利用磁控溅射法在硅(Si)衬底上沉积了Ta2O5薄膜,对薄膜进行了不同温度的退火处理,并利用X射线衍射仪对薄膜的微观结构进行了分析.然后在Si的背面和介电薄膜的上面沉积Pt电极,组成了金属—氧化物—半导体( MOS)电容器,对不同温度下退火得到的薄膜制备的MOS电容器的电学性能进行了研究.结果表明,薄膜在700℃开始结晶,且是四方结构的β-Ta2O5.700℃退火得到的薄膜制备的电容器电学性能最好:其相对介电常数最大,为34.9;漏电流密度最小,为1.87× 10-6 A/cm2(所加电压为1V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑丹	武汉软件工程职业技术学院光电子与通信工程系	26	32	3.0	4.0
2	杨晟	武汉软件工程职业技术学院光电子与通信工程系	27	40	3.0	4.0