In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响

• 作者: 周健儿 张小珍 徐小勇 汪永清 胡学兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO_2粉体 In掺杂 Zeta电位 晶胞体积
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1485-1488
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文

摘要

以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参数并增大了其晶胞体积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周健儿	景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室	180	973	15.0	23.0
2	汪永清	景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室	119	546	11.0	19.0
3	张小珍	景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室	86	351	9.0	13.0
4	胡学兵	景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室	53	250	9.0	12.0
5	徐小勇		16	76	5.0	8.0