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1.IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated GateBipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件. IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET.
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文献信息
篇名 谈谈IGBT管的使用
来源期刊 家电检修技术 学科
关键词
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目 元器件与代换
研究方向 页码范围 45-46
页数 2页 分类号
字数 语种 中文
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期刊影响力
家电检修技术
月刊
1007-8673
22-1240/TM
16开
吉林省长春市人民大街24-2号
12-150
1994
chi
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6284
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1
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