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摘要:
绝缘子污秽闪络事故严重威胁电力系统的安全可靠运行,目前国内外对污闪机理的研究主要是以平板模型为基础.本文借助于高速摄像机开展低气压下绝缘子串直流污闪过程研究,结果表明,低气压下绝缘子串直流污闪放电过程中局部电弧的产生与发展存在随机性,且存在多电弧现象;局部电弧发展过程中存在飘弧现象,即局部电弧由沿面电弧和空气间隙电弧两部分组成;低气压下染污绝缘子串闪络距离小于爬电距离;染污绝缘子串直流起弧电压比闪络电压约低15%~35%;低气压下染污绝缘子串更容易起弧,且海拔越高,局部电弧的燃弧时间越短;局部电弧形状与污秽、气压等有关.
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文献信息
篇名 低气压下绝缘子串直流污闪放电过程
来源期刊 电工技术学报 学科 工学
关键词 低气压 直流 绝缘子串 污闪过程 局部电弧
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 电工材料
研究方向 页码范围 30-35,47
页数 7页 分类号 TM855
字数 4681字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-6753.2009.04.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙才新 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 379 13536 63.0 93.0
2 蒋兴良 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 218 5355 38.0 64.0
3 张志劲 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 104 2551 29.0 47.0
4 胡建林 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 105 1743 26.0 37.0
5 苑吉河 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 22 766 12.0 22.0
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电工技术学报
半月刊
1000-6753
11-2188/TM
大16开
北京市西城区莲花池东路102号天莲大厦10层
6-117
1986
chi
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195555
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