平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究

• 作者: 肖雪芳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 边缘击穿 雪崩光电二极管 多级台阶
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 870-873
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.7
• 语种: 中文

摘要

平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有更高的电场,易导致结边缘的提前击穿.运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP/lnGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×10~(11)cm~(-2)时分析了台阶级数、台阶高度等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度.通过理论研究对平面InP/InGaAS APD进行了优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖雪芳	厦门理工学院电子与电气工程系	13	26	3.0	4.0