半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究

• 作者: 何秀坤 李劼 秦涛 董彦辉
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体SiC 电阻率 无接触测量 电容器
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.021

摘要

与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的.文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董彦辉	中国电子科技集团公司第46研究所质量检验中心	8	10	2.0	3.0
2	何秀坤	中国电子科技集团公司第46研究所质量检验中心	7	9	2.0	3.0
3	秦涛	西安电子科技大学技术物理学院	2	2	1.0	1.0
4	李劼	西安电子科技大学技术物理学院	2	2	1.0	1.0