电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响

• 作者: 卢景霄 姚鹏 文书堂 李云居 李维强 杨仕俄 谷锦华 赵尚丽 郭学军 高哲 魏长春
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频化学气相沉积 微晶硅薄膜 散射截面 高速生长
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1101-1106
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.04.045

摘要

较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度,并用麦克斯韦-玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中SiH2,SiH3等基的浓度.利用SiH2与SiH3比值,结合表面扩散模型,解释气压-功率密度相图中随电子温度的增加(功率的增加),晶化率增大的现象.