ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

• 作者: 成鹏飞 李建英 李盛涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热刺激电流
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5721-5725
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.091

摘要

利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100-20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi2 O3系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10-2-106 Hz.研究表明:ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流(TSC)谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰.在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
3	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0