ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

• 作者: 成鹏飞 李建英 李盛涛 赵雷
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热处理
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 523-528
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082

摘要

从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105 Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130-20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105 Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或,和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
3	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0
4	赵雷	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	19	1.0	2.0