金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

• 作者: 周小伟 张进城 张金凤 朱庆伟 李志明 毛维 许志豪 许晟瑞 赵广才 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5705-5708
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.088

摘要

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.