基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

• 作者: 吴东江 吴爱民 徐茵 王叶安 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaMnN薄膜 稀磁半导体 铁磁性 居里温度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 508-513
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.081

摘要

利用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法.采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-A12 O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SOUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
4	吴东江	大连理工大学机械工程学院	63	533	14.0	20.0
5	吴爱民	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	263	10.0	15.0
6	王叶安	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	5	1.0	2.0