恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 无损耗封装 POWER 半导体公司 低导通电阻 N通道 飞利浦 FOM
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 页码范围: 77
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）日前宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2—25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power—SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。