内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究

• 作者: 关宝璐 沈光地 王同喜 郭霞
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 调制特性 速率方程 寄生参数
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1057-1061
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093605.1057

摘要

建立了一种适用于多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型.在理论与实验基础上,对器件进行小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响.结果表明VCSEL调制带宽会随着输出功率增大而变宽.并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEL的寄生电参数及其寄生电路,对其小信号频率响应进行了模拟分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	关宝璐	北京工业大学北京市光电子技术实验室	18	82	6.0	8.0
4	王同喜	北京工业大学北京市光电子技术实验室	3	7	1.0	2.0