980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器

• 作者: 廉鹏 朱文军 沈光地 渠红伟 董立闽 邓军 邹德恕 郭霞 黄静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 氧化孔径 自对准工艺
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 262-265
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.005

摘要

采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10.1mW,斜率效率为0.462mW/mA.脉冲工作下,最高输出功率为13.1mW.室温连续工作下,输出功率为7.1mW,发射波长为974nm,光谱半宽为0.6nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流.