真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响

• 作者: 常本康 牛军 陈怀林
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs MBE 真空度 激活
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1951-1954
• 页数: 4页
• 分类号: TN223
• 字数: 2417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.12.002

摘要

采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高-低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象.研究中,当激活时的系统真空度从1×10~(-7)Pa提升到1×10~(-8)Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高30%的预期规律.此外,在系统真空度为10~(-7)Pa条件下,由于变掺杂材料的表面掺杂浓度较低,其出现光电流时的首次进Cs时间也较均匀掺杂材料长,而在真空度为约10~(-9)Pa条件下,这一情况也不再明显.初步分析造成该现象的原因,是与MBE材料的掺杂元素及其低温处理特性对真空度比较敏感有关.MBE阴极激活结果受系统真空度条件影响较大,因此对MBE变掺杂光阴极的制备工艺应随系统真空度条件不同而调整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	陈怀林	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	46	4.0	6.0
3	牛军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	15	87	6.0	8.0