硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用

• 作者: 刘剑 刘沁 匡石 孙海伟 张治国 李颖 林洪 祝永峰
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 硅电容 传感器 小间隙 非粘连 静电封接
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2009.11.006

摘要

对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10 μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效.文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题.该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李颖		17	98	6.0	9.0
2	刘沁		13	74	4.0	8.0
3	匡石		13	40	4.0	5.0
4	张治国		15	75	5.0	8.0
5	刘剑		7	16	3.0	3.0
6	祝永峰		4	15	2.0	3.0
7	林洪		7	31	4.0	5.0
8	孙海伟		1	4	1.0	1.0