硅加速度传感器芯片的优化设计研究

• 作者: 李玉琮 许迈昌 邓永和
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 硅芯片 加速度传感器 优化设计
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性设计与工艺控制
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2003.05.010

摘要

介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺.通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓永和	湖南工程学院数理系	36	138	5.0	10.0
2	李玉琮	湖南工程学院数理系	6	13	2.0	3.0
3	许迈昌	湖南工程学院数理系	6	3	1.0	1.0