基于相变存储器的相变存储材料的研究进展

• 作者: 姚熹 汪昌州 翟继卫
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 相变存储材料 Ge2Sb2Te5
• 年，卷（期）: 2009,（15）
• 所属期刊栏目: 本期专题:相变材料
• 页码范围: 96-102
• 页数: 7页
• 分类号: TB3
• 字数: 6340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.15.022

摘要

相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器.简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	翟继卫	同济大学功能材料研究所	35	241	9.0	13.0
3	汪昌州	同济大学功能材料研究所	2	17	1.0	2.0